Shandong Zhongshan Photoelectric Materials Co., Ltd

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반도체 공정 재료

헥사 플루오로 에탄 반도체 공정 재료

옥타 플루오로 프로판 반도체 공정 재료

Perfluorobutadiene 반도체 공정 재료

질소 트리 플루오 라이드 반도체 공정 재료

Trifluoroiodomethane 반도체 공정 재료

우리의 주요 반도체 공정 재료는 불소 함유 전자 특수 가스와 같은 불소 에칭 가스입니다. 현재 이용 가능한 대규모 공급 장치에는 트리 플루오로 메틸 요오드 라이드 (CAS : 2314-97-8) 및 Xenon Difluoride (CAS : 13709-36) -9), 붕소 트리 플루오르드 11, Perfluorobutadiene (CAS : 685-63-2), 클로린 트리 플루오 라이드가 포함됩니다. CAS : 7990-91-2), 질소 트리 플루오 라이드 (CAS : 7783-54-2) 게르마늄 테트라 플루오 라이드 (CAS : 7783-58-6), 티타늄 테트라 플루오 라이드 (CAS : 7783-63-3), 텅스텐 헥사 플루오 라이드 (CAS : 7783 -82-6), 몰리브덴 헥사 플루오 라이드 (CAS : 7783-77-9), 나트륨 trifluoromethanesulfinate (CAS : 2926-29-6) 등
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